发布日期:2026-02-11 浏览次数:0
2 月 9 日晚间,源杰科技发布对外投资公告,公司拟投资 12.51 亿元建设光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目,持续加码高速光芯片布局。
公告显示,该项目位于陕西省西咸新区沣西新城,建设周期约 18 个月,由源杰科技作为唯一投资主体,资金通过自有资金及自筹方式解决。项目将在现有一期基地基础上,对厂房进行扩建并新增晶圆及芯片生产线,同步建设研发中心、测试中心及配套辅助设施,重点提升高速光芯片研发与规模化制造能力。
当前,在 AI 算力与数据中心建设快速发展的带动下,高端光芯片需求持续旺盛,国内相关产能仍存在较大缺口。本次扩产将有效缓解公司产能紧张压力,提高订单交付稳定性与市场响应速度,增强产品供应能力。
作为国内高速光芯片领域的核心企业,源杰科技已实现多速率光芯片的自主研发与量产,拥有完整 IDM 产业链优势。此次二期项目建设,是公司进一步扩大产能、强化技术壁垒的重要举措,有利于巩固其在国内高速光芯片市场的领先地位,推动高端光通信芯片国产化进程,为公司长期业绩增长提供有力支撑。
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