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WLCSP MOSFET掀起功率器件微型化革命，国产替代加速领跑新赛道

WLCSP MOSFET掀起功率器件微型化革命，国产替代加速领跑新赛道

随着消费电子轻薄化、汽车电子化、高端快充及服务器电源产业持续升级，功率器件微型化、高效化迭代进程全面提速。作为新一代核心封装技术，WLCSP晶圆级芯片尺寸封装MOSFET凭借极致尺寸与优异性能，正快速替代传统TO、DFN、SOT封装产品，成为功率半导体领域的新晋增长主力，一场全新的产业微型化革命已然开启。据悉，全新《全

TGV 玻璃通孔：先进封装面板级集成核心互连方案

TGV 玻璃通孔：先进封装面板级集成核心互连方案

面向先进封装高密度互连与面板级集成发展趋势，玻璃通孔（TGV）凭借低介电损耗、高平整度、低热膨胀系数及大尺寸面板化潜力，成为 2.5D/3D 封装、FOWLP/FOPLP、射频与高端封装基板的核心互连方案。TGV 产业化的关键瓶颈在于高深宽比通孔内壁均匀成膜、低温制程控制、膜基结合力保障及整线工艺集成。基于韩国 JS 等离子与 PV

芯融合 | 芯擎科技发布5nm车规级AI舱驾融合芯片

芯融合 | 芯擎科技发布5nm车规级AI舱驾融合芯片"龍鹰二号"

在2026北京国际车展上，高性能车规和工业芯片领航者芯擎科技发布5nm车规级舱驾融合芯片"龍鹰二号"，计划于2027年第一季度启动适配。从"龍鹰一号"智能座舱芯片的百万级量产，到"龍鹰二号"AI舱驾融合的突破，标志着芯擎科技完成了从"智能座舱引领者"向"整车中央计算平台定义者&

比光芯片还猛？铜箔赛道狂飙，龙头业绩暴增150%，高端国产替代杀疯了

比光芯片还猛？铜箔赛道狂飙，龙头业绩暴增150%，高端国产替代杀疯了

近期，光芯片持续刷屏半导体圈，但一个被忽视的赛道正实现“弯道超车”——铜箔，其供需紧张程度远超光芯片，高端国产替代进程全面提速、势头迅猛，行业龙头业绩暴增，成为科技领域最具爆发力的隐藏风口。相较于光芯片的阶段性瓶颈，铜箔赛道的爆发更具冲击力，AI算力爆发与新能源锂电、储能需求高增形成双轮驱动，直接引爆

晶盛机电双材料重大突破打破海外垄断赋能国产半导体

晶盛机电双材料重大突破打破海外垄断赋能国产半导体

（文章来源：AI整理）本报讯晶盛机电（300316.SZ）近期披露，在碳化硅（SiC）衬底与氮化硅陶瓷两大关键材料领域实现里程碑式突破，以“装备+材料”双轮驱动，夯实我国第三代半导体与先进封装材料国产替代壁垒。碳化硅衬底领域，公司子公司浙江晶瑞攻克12英寸导电型SiC晶体生长核心难题，建成行业首条全自主设备中试线，关键

国产芯突破！HPM6E8Y引领机器人关节控制“芯”革命

国产芯突破！HPM6E8Y引领机器人关节控制“芯”革命

（文章来源：AI整理）机器人关节的灵活度、精准度，全看“大脑”够不够强！先楫半导体推出的HPM6E8Y实时控制芯片，以国产RISC-V架构为核心，凭硬核性能打破国际垄断，成为机器人关节控制的“黄金芯片”，引领国产机器人迈入“芯”时代。作为专为机器人关节、一体化伺服打造的旗舰级MCU，HPM6E8Y的核心竞争力直击行业痛点。双

国产先进封装：从“配角”到“主角”的技术突围战

国产先进封装：从“配角”到“主角”的技术突围战

（文章来源：今日头条）后摩尔时代，封测如何成为中国芯片弯道超车的突破口？当我们谈论芯片时，话题总离不开7nm、5nm、3nm，仿佛半导体的未来全押注于光刻机的微缩极限。然而，随着摩尔定律逼近物理天花板，一个曾被视为“后端配角”的环节，正悄然站上产业舞台中央——先进封装。在2026年的SEMICON China展会上，这一趋势

全球半导体封测掀起扩产潮 AI 驱动下巨头争相布局战略高地

全球半导体封测掀起扩产潮 AI 驱动下巨头争相布局战略高地

（本文来源：AI整理）2026年4月，全球半导体圈迎来大动作——封测领域巨头集体“放大招”，密集官宣建厂、扩产计划，一场围绕AI、汽车电子的产能竞赛正式拉开帷幕！作为芯片制造的“后道关键工序”，封测曾是产业链的“幕后角色”，如今却因AI、高性能计算的需求爆发，成为巨头必争的战略高地。日月光：史上最大规模扩产，全

泰瑞达发布Photon 100平台，赋能硅光子与共封装光学（CPO）大规模量产测试

泰瑞达发布Photon 100平台，赋能硅光子与共封装光学（CPO）大规模量产测试

（本文来源：AI整理）2026年4月9日，中国北京讯——全球领先的自动测试设备和先进机器人供应商泰瑞达（NASDAQ:TER）近日宣布，推出全面型光电自动测试平台Photon 100，该平台专为加速大规模硅光子（SiPh）和共封装光学（CPO）量产打造，精准破解封装测试环节核心痛点，助力产业突破规模化瓶颈。受AI与下一代数据中心发展推动

中国团队重要突破！将为芯片技术自主可控提供关键材料

中国团队重要突破！将为芯片技术自主可控提供关键材料

（本文来源：半导体产业网）核心提示：近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后近日，国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破，有望为后摩尔时代自主可控的芯片技

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