长鑫LPDDR6，细节披露

合肥，2026 年 9 月 7 日，长鑫存储自研 LPDDR6 内存芯片正式实现量产并投入商用，这款芯片将率先应用在小米 18 Fold 折叠旗舰机型，成为全球首款在旗舰智能手机落地的 LPDDR6 产品。

本次落地的 LPDDR6，单颗粒规格 16Gb，封装之后整体容量达到 16GB，完全遵循 JEDEC 官方 LPDDR6 行业标准，采用全新 1295 Ball FBGA 封装形态。芯片理论最高传输速率可达 12800Mbps，手机端与 SoC 实际运行速率为 10667Mbps。对比 LPDDR5X，带宽提升 60%，同时功耗下降 20%，既可以为处理器提供充足的数据带宽，也能够有效改善移动终端续航表现，满足旗舰手机与高性能终端的算力需求。

为实现高带宽、低功耗的产品目标，长鑫存储在设计架构、能效管控、可靠性、工艺协同以及封装工艺多个维度完成多项技术创新。

设计层面采用双子通道架构，常规模式配置 24bit 原生 I/O。高速接口支持每一路信号引脚独立完成预加重、信号均衡参数调校，叠加智能训练机制，保障高速数据传输场景下信号完整与整机稳定运行。

能效管理引入双轨 DVFS 架构，在硬件上实现电压分离，搭配动态效率模式调度策略。可以根据设备负载动态调节工作状态，在高算力输出和省电续航之间实现平衡，给移动终端带来灵活的内存调度基础。

可靠性方面在原有 Link ECC、On Die ECC 防护之上，新增 PRAC 每行激活计数功能，抵御行锤效应带来的数据风险，同时集成 MBIST 内建自测试模块，多重防护机制共同保障数据完整以及系统运行可靠。

工艺端推动设计与制造深度协同，针对 CMOS 关键电路、LDR 设计规则完成超百项深度优化迭代，打造更小尺寸、性能更强的 CMOS 晶体管，支撑产品高带宽、低功耗的核心指标达成。

后道封装改用 1295 Ball FBGA 方案，焊球面积相比 LPDDR5 所用 496 Ball 封装扩大 50%，生产制造难度显著增加。塑封环节选用高导热 High K EMC 环氧塑封料对芯片进行包覆，可将颗粒热阻降低约 40%，强化高负载工况下散热能力，保障内存长时间满负载稳定输出。

放眼市场，手机、笔记本、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴、机器人等赛道，均对高性能低功耗内存存在旺盛需求，LPDDR6 拥有广阔的应用空间。

LPDDR6 的成功量产商用，是长鑫存储在高端内存自主研发道路上的重要里程碑。现阶段产品正加速推进规模化落地，后续企业还将持续迭代性能、扩充产品矩阵，联动产业链上下游伙伴，推动新一代内存技术在更多智能场景落地普及。