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三星电子加码第三代半导体 2026年Q3启动SiC功率半导体样品量产
全球电子巨头三星电子正式发力第三代半导体赛道,布局SiC(碳化硅)功率半导体核心领域。据业内最新消息,三星电子已敲定量产规划,计划于2026年第三季度正式启动SiC功率半导体样品量产,目前公司已完成原材料及核心生产组件的订购工作,量产筹备工作稳步推进,首款量产样品锁定平面SiC MOSFET器件,标志着三星在功率半导体
2026-03-17
今年投产!吴中再添“芯引擎”
新春启新程,实干开新局今天是马年首个工作日吴中区项目建设现场也传来新进展苏州芯谷半导体研发生产项目进入全面冲刺阶段将在今年正式投产为吴中半导体产业发展注入强劲动能最新进展土建、机电安装施工完成;幕墙、泛光照明施工已完成;正在进行内装施工,完成80%。苏州芯谷半导体研发生产项目由苏州芯谷半导体技术有限公司
2026-02-25
Vicor BCM6135(TM) 双向 DC-DC 电源转换器荣获 2025 模块电源行业卓越奖
*免责声明:1.本公众平台所发表内容均会注明来源以及附上原文链接,版权归原出处所有(无法查证版权的或未注明出处的均来源于网络搜集)。转载内容(视频、音频、文章等)只以信息传播为目的,仅供参考,不代表本平台认同其观点和立场。如涉及版权/内容真实问题,请与本公众号联系,我们将在第一时间删除内容。2.本号注明原
2026-02-09
第一代第二代第三代半导体市场规模对比与深度分析
核心结论:三代半导体并非替代关系,而是互补共存,硅基半导体仍绝对主导市场,第二代聚焦细分专精场景,第三代凭借性能优势实现爆发式增长,成为半导体行业最大增量赛道。其中第一代半导体占全球市场95%以上份额,成熟稳健;第二代市场规模偏小,增速平稳;第三代规模虽小,但增速领跑,新能源与高端制造驱动其渗透率快速提
2026-01-29
精密抛光膜:超精密制造的核心支撑材料
精密抛光膜作为高端制造业不可或缺的超精密加工耗材,是通过超精密涂布技术,将微米级或纳米级研磨微粉与高性能粘合剂均匀分散后,涂覆于高强度薄膜基底表面,经高精度裁剪制成的柔性研磨材料,又称研磨膜、抛光带,广泛服务于半导体、光学、电子、医疗、汽车及新能源等关键领域,凭借高精度、高一致性、高效率的核心优势,
2026-01-21
智能热管理与AI预测控制系统
在能源转型与智能制造的双重驱动下,热管理系统正经历一场从“被动响应”到“主动预判”的深刻变革。人工智能预测控制技术的深度融入,为这一变革提供了核心动力。智能热管理与AI预测控制并非简单的技术叠加,而是通过物联网传感、时序预测算法、动态优化决策与闭环反馈机制的协同,构建起“数据感知—模型预测—精准调控—
2026-01-16
首批碳化硅合封芯片揭晓!
前言在快充和高功率密度适配器迅速升级的趋势下,传统硅器件在开关频率、效率和温升控制方面已稍显不足。为了在有限体积内做到更高功率、更高效率和更低温升,越来越多厂商开始引入具备更高耐压裕量、更低开关损耗的 SiC 器件。与控制器 + 外置驱动 + 分立 SiC MOSFET的离散方案相比,合封 SiC 控制器将 SiC 开关管与控制、
2026-01-08
江城实验室先进封装项目封顶倒计时,武汉加速迈向“世界存储之都”
今年是“十五五”开局之年,全市锚定加快建设国家中心城市,全力打造“五个中心”,全面建设现代化大武汉目标,聚力冲刺开门红。元旦假期,长江日报记者探访武汉科技创新、先进制造、民生保障等领域一批重大项目,火热的建设、投产现场,无一不展现出武汉高质量发展生机勃勃的良好态势。1月2日,位于武汉东湖高新区光谷一路
2026-01-08
士兰微双线里程碑式进展,第三代半导体和高端模拟芯片领域能级跃升
新年伊始,万象更新。2026年1月4日,士兰微(600460)在厦门市海沧区举行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线通线仪式暨12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目开工典礼”,公司高层及行业领导、客户及嘉宾共同见证中国集成电路产业新的突破。作为公司里程碑事件,此次通线的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线,是士兰微
2026-01-08
AMD下一代显卡还比较远:2027年中旬发售 台积电N3P工艺
AMD推出的RX 9000系列显卡大获成功。据报道,这些显卡的销量非常好,而且性价比很高。不过,如果你想等AMD下一代RDNA 5 GPU,可能还需要更长时间。AMD下一代GPU将继续与台积电合作!)知名硬件舅舅Kepler_L2爆料,AMD下一代RDNA 5 GPU将于2027年中期发布。此前有传言称它们将采用三星制造的工艺节点,但现在这一说法也已被否
2026-01-06
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