三星重启SiC，功率半导体进入“多巨头时代”
发布日期：2026-05-07 浏览次数：0
据韩媒ETNews报道，三星电子已正式重启碳化硅（SiC）半导体业务，并与材料、设备及零部件厂商展开合作，推进8英寸SiC产线建设。这标志着在经历此前阶段性收缩后，三星正重新加码第三代半导体，瞄准下一代功率芯片市场。事实上，三星早在2023年便启动SiC布局，试图为8英寸硅基成熟制程寻找新的增长点。但受全球半导体下行周期及存储业务承压影响，相关推进一度放缓。进入2026年，随着市场环境改善，三星重新加速该业务，SiC被重新定位为潜在的“第二增长曲线”。从规划来看，三星路径较为清晰：2026年启动供应链建设，并推出首款面向车规与工业应用的平面栅SiC MOSFET样品；2027年建设试点产线，用于工艺验证；2028年实现8英寸SiC晶圆量产。在设备端，公司已引入包括AixtronMOCVD设备在内的关键装备，为外延与器件制造打基础。三星此时重启SiC，背后是多重驱动。一方面，传统8英寸硅基产线利用率与盈利能力承压，而8英寸SiC具备更高附加值，有望提升产线效率；另一方面，下游需求正从新能源汽车单一驱动，转向“电动车+AI数据中心+光伏储能”的多元格局，尤其AI算力提升带来的高功率密度需求，使SiC的重要性持续上升。此外，布局SiC也有助于三星补齐其在功率半导体领域的产品短板。技术策略上，三星选择以成熟度较高的平面栅SiC MOSFET切入市场，以降低技术风险并加快客户导入节奏。不过，当前全球SiC市场仍由英飞凌、安森美、意法半导体等IDM厂商主导，三星作为后来者，仍需在良率、成本控制以及车规认证等方面持续突破。总体来看，三星的入局将为SiC产业带来新的变量。一方面，其直接布局8英寸产线，有望加速行业从6英寸向8英寸升级；另一方面，也可能推动技术竞争与价格博弈加剧，并带动上游衬底、外延及设备环节需求增长。随着电动化与AI算力需求持续释放，功率半导体正进入新一轮发展周期。三星将SiC视为未来增长引擎，虽然面临不小挑战，但其资金实力与制造能力，仍有望在未来产业格局中占据一席之地。
（文章来源：面包芯语网）
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