TGV 玻璃通孔：先进封装面板级集成核心互连方案

面向先进封装高密度互连与面板级集成发展趋势，玻璃通孔（TGV）凭借低介电损耗、高平整度、低热膨胀系数及大尺寸面板化潜力，成为 2.5D/3D 封装、FOWLP/FOPLP、射频与高端封装基板的核心互连方案。TGV 产业化的关键瓶颈在于高深宽比通孔内壁均匀成膜、低温制程控制、膜基结合力保障及整线工艺集成。基于韩国 JS 等离子与 PVD 溅射技术平台构建的 TGV 板级处理系统，可有效解决上述技术难点，形成覆盖玻璃基板处理、通孔金属化、等离子活化、ABF 低粗糙度处理的一体化量产解决方案。

该 PVD 溅射系统适配 300 mm×300 mm~600 mm×600 mm 板级玻璃基板，可实现15:1 高深宽比TGV 内壁完整包覆，量产稳定支持 10:1 直孔结构，极限可达 20:1；在 5:1 深宽比条件下台阶覆盖率达 8%，膜层剥离强度超 400 gf，成膜均匀性优于 3%，孔内厚度≥50 nm，可充分保障后续电镀填充质量与互连可靠性。系统采用≤80°C 低温除胶工艺，避免玻璃在高温下变形，旋转靶材利用率超 80%，处理效率达 6 片 / 小时，具备显著量产优势。

配套等离子处理平台采用双 CCP 与特殊 CCP 电极设计，蚀刻均匀性与生产效率突出，可完成光刻胶去除、镀铜前处理、芯片贴装与凸点制备前清洗等关键工序。针对 ABF 基板的 D‑CCP 等离子蚀刻技术，可实现树脂与填料同步蚀刻，获得超低粗糙度表面，显著提升 RDL 结合力与信号完整性。该平台可无缝对接 RDL First、SAP、FOWLP/FOPLP 等主流封装流程，形成激光钻孔→等离子去钻污→Ti/Cu 种子层溅射→图形化电镀→CMP的完整 TGV 工艺链，已通过三星、LG、京瓷、村田、富士康等头部企业验证，是 TGV 技术实现高端封装产业化的核心支撑平台。

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