晶盛机电双材料重大突破 打破海外垄断赋能国产半导体

（文章来源：AI整理）

本报讯 晶盛机电（300316.SZ）近期披露，在碳化硅（SiC）衬底与氮化硅陶瓷两大关键材料领域实现里程碑式突破，以“装备+材料”双轮驱动，夯实我国第三代半导体与先进封装材料国产替代壁垒。

碳化硅衬底领域，公司子公司浙江晶瑞攻克12英寸导电型SiC晶体生长核心难题，建成行业首条全自主设备中试线，关键指标达国际一流，12英寸衬底厚度均匀性≤1μm，配套外延层良率超96%，已向英飞凌等海内外大厂送样，预计2027年规模化量产，单位芯片成本可降低40%。同时，8英寸SiC衬底已实现量产，斩获海内外批量订单，银川、马来西亚槟城产能项目加速推进，构建双产能格局。

氮化硅陶瓷领域，公司首条氮化硅陶瓷基板产线正式通线量产，核心指标对标国际顶尖水平，彻底打破国外企业在高端氮化硅陶瓷基板领域的长期垄断，可广泛应用于新能源汽车功率模块、先进封装散热基板等场景，满足高导热、高绝缘需求。

此次双材料突破意义重大，晶盛机电形成“装备+材料”完整闭环，其12英寸SiC衬底可适配台积电先进封装散热需求，氮化硅陶瓷则补齐国产散热材料短板，为AI算力、新能源汽车、先进封装等赛道提供关键国产保障，推动我国相关产业链迈向全球第一梯队。