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SK 海力士豪掷 54.3 万亿韩元新建两座晶圆厂,全面扩充 AI 存储芯片产能

发布日期:2026-08-10 浏览次数:0

韩国存储芯片龙头 SK 海力士官宣,公司董事会敲定总额 54.3 万亿韩元(折合人民币约 2900 亿元)大额投资方案,将在龙仁、清州两大基地新建两座晶圆工厂,全力承接 AI 产业催生的存储芯片增量需求。本次投资拆分至两大项目,龙仁第二晶圆厂 Y2 投入 35.2 万亿韩元,清州全新 NAND 厂区 M17 投入 19.1 万亿韩元,以此强化企业在全球 AI 半导体产业链的核心竞争力,应对 HBM、DRAM、NAND 闪存持续暴涨的市场需求。

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龙仁 Y2 工厂:主攻 HBM 与新一代 DRAM,打造 AI 算力存储核心基地
Y2 是龙仁半导体产业园规划四座晶圆厂中的二号厂区,建筑面积达 34.1 万坪,核心产能聚焦 AI 算力刚需的高带宽内存 HBM 与新一代 DRAM 芯片。项目施工周期清晰,2027 年 7 月启动建设,首座洁净室 2029 年 6 月投产,资金分批次投放至 2031 年 10 月。园区一号厂房 Y1 也在加紧施工,预计 2027 年 2 月完成首间洁净室交付。企业大幅提速整体园区建设,整体完工节点由 2045 年提前至 2033 年,缩短 12 年建设周期,凸显抢占 AI 存储市场的战略意图。本次 Y2 投资覆盖全链条配套建设,除主体生产车间外,同步规划员工配套楼宇、集测试、研发、分析功能于一体的综合研发中心,变电站、给排水系统、仓储、公用工程隧道等基建同步落地。占地 126 万坪的龙仁产业园一期水电配套工程已完成 99%,厂房建设与基建施工同步推进,保障项目按期落地。
清州 M17 工厂:布局 NAND 闪存,适配企业级 SSD 与 AI 缓存需求
不同于 Y2 专注内存芯片,清州 M17 工厂定位 NAND 闪存量产。随着各类 AI 应用落地,企业级 SSD、AI 推理 KV 缓存存储需求持续攀升;伴随智能体 AI、实体物理 AI 技术落地,NAND 闪存应用场景还将进一步拓宽。清州本就拥有 M11、M12、M15 三座成熟 NAND 晶圆厂,M17 新厂落地后可与现有产线深度协同,依托当地成熟土地、水电配套,压缩建设周期、降低施工成本。该厂区洁净室面积 20.6 万坪,2027 年 2 月动工,2028 年 12 月首个洁净室投产,投资周期持续至 2031 年 4 月,资金按工程进度分批投放。
千亿级长期投资落地,柔性扩产构筑 AI 存储行业壁垒
本次 54.3 万亿韩元新建厂房投入,是 SK 海力士六月发布的长期产业布局规划关键一环。企业此前披露整体十年投资蓝图:龙仁产业园累计投入 600 万亿韩元、清州基地追加 100 万亿韩元,合计 700 万亿韩元,搭建适配长期 AI 产业发展的完整产能底座。企业采用 “基建先行、产能灵活调配” 的经营策略,提前布局厂房、水电等硬件设施,再依据下游客户长期订单动态调整实际投产规模,既规避盲目扩产造成的产能过剩风险,又能在需求爆发时快速释放产能。企业负责人表示,本次大额投资意在牢牢抓住 AI 产业增长红利,依托完善的制造配套,成为全球 AI 基础设施核心供应商,稳定全球半导体存储供应链供给。
行业分析认为,全球 AI 产业竞争加剧,配套 GPU 使用的 HBM 芯片长期供给紧缺,NAND 闪存也在企业存储、边缘 AI 领域价值持续提升。SK 海力士同步加码内存、闪存两大赛道,一方面精准匹配市场刚需,另一方面主动应对三星、美光等同业对手,形成差异化竞争优势。

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