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大族半导体推出全新一代全自动晶圆激光开槽设备

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近期，大族半导体隆重推出全新一代全自动晶圆激光开槽设备—GV-N3242系列。该设备在开槽质量、开槽精度、洁净度管控以及材料兼容性方面的大幅跃升，已圆满通过客户严苛的技术验证，并完全具备量产能力，赢得了客户的一致好评与广泛认可。设备交付现场全自动晶圆激光开槽设备型号：GV-N3242该产品可用于先进封装领域，在晶圆

微导纳米拟募资不超11.7亿元投建半导体薄膜沉积设备智能化工厂

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核心提示：微导纳米加速半导体设备智能化工厂建设。微导纳米加速半导体设备智能化工厂建设。5月29日晚间公告，微导纳米拟向不特定对象发行可转换公司债券的募集资金总额不超过11.7亿元。扣除发行费用后，将全部投资于半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设项目、研发实验室扩建项目以及补充流动资金。2022年登陆

科卓半导体王付国：AI服务器建设加速推动晶圆切割、先进封装技术需求

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“全球半导体销售额逐步走出下行周期，迎来新的产业发展机遇。”在近日举行的第二十一届中国国际半导体博览会(下称：博览会)上，中国半导体行业协会理事长陈南翔表示。受益国内晶圆厂建厂潮持续，以及国产半导体设备在内资晶圆厂中份额提升，半导体设备行业景气高企。据市场第三方数据显示，预计2024年国产半导体设

基于深紫外microLED显示的无掩膜光刻技术与应用示范

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核心提示：Nature Photonics近日刊登了题为“High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless photolithography”的研发文章。该研究报道了具有世界上首个高功率、高光效、高分辨率、高像素密度、低功耗的深紫外microLED显示阵列芯片，并基于该显示芯片提出并实现了深紫外microLED无掩

半导体激光器的未来应用

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当前，半导体激光器市场是更广泛的光电子行业中的一个重要细分市场。在过去几十年，该市场经历了显著的增长和变革。预计到2029年，全球半导体激光器市场规模将达到132.5亿美元。汽车、消费电子等各行业应用的增加将促进半导体激光器需求的增长，智能互联设备投资的增加也将推动市场增长。半导体是各种设备的重要组成部分，可

国内首台！天准科技发布40nm明场纳米图形晶圆缺陷检测设备

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证券时报·e公司记者从天准科技(688003)了解到，由该公司参股的苏州矽行半导体技术有限公司(以下简称“矽行半导体”)宣布，公司面向40nm技术节点的明场纳米图形晶圆缺陷检测设备TB1500已完成厂内验证，标志着国产半导体高端检测设备实现了新的突破。这是继去年8月，天准科技交付面向12英寸晶圆65nm至90nm技术节点的

半导体晶圆制造工艺介绍

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八大半导体制造工艺包括：晶圆制造→氧化工艺→光刻工艺→蚀刻工艺→沉积和离子注入工艺→金属化工艺→EDS工艺→封装工艺。本篇文章主要介绍半导体晶圆制造工艺。以下是硅晶圆的制备流程：1）截断截断如图 1所示，将硅棒的两端去掉，一端为籽晶端(籽晶所在的位置)，一端为非籽晶端(与籽晶相对的另一端)，即切去单晶硅的头部

半导体图案化工艺流程之刻蚀

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早期的湿法刻蚀促进了清洁（Cleansing）或灰化（Ashing）工艺的发展。而在如今，使用等离子体（Plasma）的干法刻蚀（Dry Etching）方法已经成为主流刻蚀工艺。等离子体由电子、阳离子和自由基（Radical）粒子组成。在等离子体上施加的能量使中性状态下的源气体最外层电子发生剥离，从而将这些电子转化为阳离子。此外，还可以

无锡翔域半导体取得离子注入机用离子源电极插座结构专利，防止插头与插孔插接时有松动

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国家知识产权局信息显示，无锡翔域半导体有限公司取得一项名为“一种离子注入机用离子源电极插座结构”的专利，授权公告号 CN 222015795 U，申请日期为 2024 年 4 月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种离子注入机用离子源电极插座结构，包括插板，所述插板上开设有用于与电极插头配合的插孔，插板的一侧固定设置

半导体量测设备都有什么类型

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共焦光学显微镜激光聚焦在晶圆上，照亮一个光斑，反射光重新聚焦在接收平面上，通过对光的分析，从而实现对硅片表面的检测。这种显微镜是一个当激光聚焦在硅片上时，反射光被设计成使用接收器也能完成聚焦的系统称为共焦光学系统。也就是说散焦信息不会通过接收平面因而可以获得高分辨率高对比度的图像。当然，光学显微镜的

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