李士颜

李士颜，高级工程师，博士毕业于中国科学院半导体研究所，2016年入职中国电子科技集团公司第五十五研究所，SiC电力电子器件研发主管，获评中国电科杰出青年，完成1200V 25 mΩ和1700V 45 mΩ SiC MOSFET器件产业化攻关，在超高压领域，实现了6.5 kV/25A、10 kV/10A和15 kV/10A等多款SiC MOSFET芯片研制。在Applied Physics Letters、IEEE Trans. on Electron Devices等国际权威期刊上发表SCI论文13篇，获得中国发明专利12项。