安森美与格罗方德携手开发下一代氮化镓功率器件

发布日期：2025-12-22 浏览次数：0

结合领先的制造工艺与系统专业知识，满足AI数据中心与电动汽车等高增长市场的迫切需求。

安森美（onsemi）与格罗方德（GlobalFoundries，简称GF）于12月19日宣布签署合作协议，双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基氮化镓（eMode GaN-on-Si）工艺，共同研发并制造先进的650V GaN功率器件。

此次合作将安森美的系统及产品专业积淀与格罗方德的先进GaN工艺相结合，旨在为高增长市场打造全新650V功率器件。首批合作产品计划于2026年上半年开始提供样品，并快速过渡至大规模量产。

01 合作细节与技术整合

根据协议，安森美将把其行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德的650V GaN技术平台相结合。

通过技术整合，双方致力于打造出具有更高功率密度和能效的GaN器件。

格罗方德首席商务官Mike Hogan表示，将200毫米硅基GaN平台与安森美深厚的系统和产品专业积淀相结合，能加速高效解决方案的落地，并为关键市场构建更具韧性的供应链。

02 目标应用场景

合作生产的GaN器件将满足多个高增长领域日益严格的功率需求。

在AI数据中心领域，新产品将应用于电源及其DC-DC转换器。对于电动汽车市场，这些器件将用于车载充电机及其DC-DC转换器。

在可再生能源领域，产品将服务于微型光伏逆变器和储能系统。此外，工业与航空航天领域的电机驱动器和DC-DC转换器也是重要应用场景。

03 市场前景与技术优势

安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan指出，这些GaN产品搭配公司的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。

GaN技术凭借其更高开关频率，能帮助设计人员减少元器件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效和散热性能。

该技术还具有双向导通能力，可支持全新拓扑结构，简化设计方案。

此次合作进一步扩充了安森美领先的功率半导体产品组合，如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。这一全面布局让系统设计人员能够构建下一代电源架构，在更小的尺寸内实现更高的功率输出。

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（本文来源：AI生成）

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