半导体设备真空腔体低释气率镀膜解决方案

　　真空技术在半导体制造和科学研究中发挥着关键作用，尤其在硅晶片上精确沉积薄膜和微细结构的加工工艺中不可或缺。随着5G技术的广泛应用，对高导热材料的需求日益增长，铝合金以其卓越的轻量化特性、优异的热传导性能以及出色的加工适应性，在电子封装及热管理的应用领域中大放异彩，成为构建超高真空(UHV)系统(10-8 - 10-9 Pa)的不二之选。铝合金的特点包括低脱气率、无磁性、在低温环境下晶体结构稳定，不会对半导体生产造成重金属污染，且在辐射环境下放射性残留低。它的高热导率和低热辐射率能力使其能够承受极端的热负荷。铝合金的易加工性也大大简化了生产流程，提升了制造效率[1]。

　　PRODUCT

　　在半导体制造工艺中，铝合金腔体是关键组件，必须满足一系列严格要求，以确保生产过程的稳定性和产品质量。其中，腔体的耐腐蚀性和低释气率尤为重要。首先，腔体需有效抵抗半导体制造过程中所用化学试剂和高密度等离子体的侵蚀。其次，在真空环境中，腔体需要具备极低的释气率，以防止气体释放污染真空，从而影响工艺流程和产品的纯度。

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　　客户需求/ Client Requirements

　　近日，我们接到一项来自某世界500强企业的重要需求：为了确保铝合金真空腔体在高端应用的可靠性和稳定性，铝合金腔体的释气率需要达到一个极低的水平。我司需根据这一需求，进行方案设计，以满足客户需要。

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　　扩维原子团队介绍/ Introduction

　　扩维原子核心团队由英国伯明翰大学、美国纽约大学等海外知名科研团队成员共同创立，潜心钻研半导体及原子制造十余年，专注于为向微观世界探索的科研及产业提供新设备、新工艺和新材料。已为数十家产学研客户提供半导体项目规划与服务，提供专业化解决方案。

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　　解决方案/ Solution

　　对铝合金腔体内表面进行改性，可以显著提升其耐腐蚀性能和抗等离子体侵蚀能力，同时有效降低颗粒和金属污染及释气率。这不仅增强了腔体的专用性和可靠性，还进一步确保了半导体制造过程中产品的质量和良品率。因此，针对铝合金腔体内表面的改性是提升其整体性能的关键方法之一。

　　结合我司在原子团簇束流技术的十数年的研发经验，我们提出使用原子团簇束流技术进行铝合金腔体的表面涂层，即通过对射频功率、束流能量和沉积室压力等关键参数的改进和优化，可以实现高度致密化涂层沉积，显著提高铝合金腔体的性能，使铝合金腔体在要求极高的半导体制造环境中具有更好的性能和更长的使用寿命。

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　　FORTH

　　项目效果/ Outcome

　　我司使用的原子团簇束流技术，可以通过生成特定的、具有特定能量的团簇直接沉积铝合金腔体的表面，可得到致密性高、均匀性高、孔隙率低的氧化钇涂层，成功达到客户对低释气率真空度的要求：10-6 Pa。

　　该客户通过扩维原子原子团簇束流服务完成铝合金腔体工艺改造升级，做出极低释气率铝合金腔体，有助于提升产品竞争力，进一步增强对高端市场的吸引力。