学界重磅！北大、深技大、斯坦福带来材料物理 “破局之作”

王新强、王平、王涛团队通过实验证实，氮化镓（GaN）等纤锌矿氮化物半导体的极化强度比传统理论预测值高出十倍以上，且极化方向与现有认知相反。这一发现重构了氮化物半导体的极化理论框架，为全氮化物铁电异质结的界面载流子调控提供了实验依据，将推动光电子器件和射频芯片的性能提升。相关成果发表于《自然・通讯》。

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宁存政教授团队首次在单层二碲化钼（MoTe₂）中发现由电子 - 空穴直接关联形成的四体准粒子 “四子”（Quadruplon），并通过超快光学泵浦 - 探测技术验证其稳定存在。这一发现填补了半导体物理领域的空白，为量子纠缠态制备提供了新物质载体，相关成果发表于eLight。

相关链接：https://icoc.sztu.edu.cn/info/1008/1615.htm

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Eric Pop实验室开发的1.5纳米厚磷化铌（NbP）薄膜展现出 “拓扑半金属” 特性，其电阻率仅为34微欧姆厘米，优于同厚度铜膜（约100微欧姆厘米）。该材料可在400°C低温下沉积，兼容现有半导体工艺，为下一代低功耗芯片互连提供了新方案。

相关链接：https://finance.sina.com.cn/tech/roll/2025-03-28/doc-inerenpr9937757.shtml

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