发布日期:2026-02-25 浏览次数:0
近日,从北京大学新闻网、科技日报官微获悉,北京大学电子学院邱晨光研究员团队在先进半导体器件领域取得重大突破。团队成功制备出迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管,将铁电晶体管的物理栅长缩减至1纳米极限,为后摩尔时代AI芯片算力与能效提升提供了关键器件支撑。

作为芯片与存算一体系统的核心基础器件,晶体管的尺寸与功耗直接决定芯片性能。在传统器件逼近物理极限、功耗与密度矛盾日益突出的背景下,北大团队通过创新结构设计,在1纳米栅长尺度下实现关键技术突破,大幅降低工作电压与能耗,同时保持优异的开关与存储速度,在高速、低功耗、高密度三大核心指标上实现协同跃升。
该成果不仅验证了铁电器件在亚纳米节点的应用可行性,更有望破解当前AI芯片面临的 “存储墙”“功耗墙” 难题,为下一代高能效人工智能芯片、存算一体芯片、物联网与边缘计算器件提供全新技术路线。
相关研究成果已发表于国际权威学术期刊,标志着我国在先进晶体管与后摩尔器件研究领域,再次迈出世界领先的关键一步。
北京大学电子学院邱晨光长聘副教授、彭练矛院士、徐琳博士为论文通讯作者,北京大学电子学院博士后孟德欢、博士研究生马学周、沈子卓为论文共同第一作者。研究得到国家重点研发计划、国家自然科学基金委卓越研究群体项目、优青项目、重点项目、腾讯科学探索奖、阿里巴巴达摩院青橙奖等资助。
论文链接:https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.aea5020
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