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半导体头条行业新闻

收1.5亿美元！碳化硅巨头Wolfspeed公布2026财年第三季度财报

收1.5亿美元！碳化硅巨头Wolfspeed公布2026财年第三季度财报

近日，Wolfspeed公布2026财年第三季度（截至2026年3月31日）财报。该季度Wolfspeed营收约为1.502亿美元（约合人民币10.27亿），同比下降19%。其中，人工智能数据中心相关业务表现亮眼，环比增长约30%。作为碳化硅赛道的先驱与市场主导者，Wolfspeed深耕碳化硅材料、功率模块、分立功率器件及功率裸片等全品类

中天晶科：12英寸碳化硅单晶生长技术取得突破！

中天晶科：12英寸碳化硅单晶生长技术取得突破！

近日，中天晶科宣布，继8英寸碳化硅晶体后，公司已成功突破12英寸碳化硅单晶生长技术。来源：中天晶科回顾技术攻坚历程，2022年10月，中天晶科首块8英寸碳化硅晶体成功问世；历经三年技术深耕，2025年3月，公司首块12英寸碳化硅晶体成功出炉，实现大尺寸碳化硅材料的跨越式升级。

天马新材：2025年实现营收2.74亿元，持续深耕高端精细氧化铝赛道

天马新材：2025年实现营收2.74亿元，持续深耕高端精细氧化铝赛道

近日，国内高性能精细氧化铝粉体细分龙头企业天马新材发布2025年度报告。报告显示，公司2025年全年营业收入为2.74亿元，同比增长7.38%；归母净利润为3816.42万元，同比下降3.09%。报告期内，天马新材坚持高端精细氧化铝粉体主业不动摇，营业收入在电子陶瓷、高压电器等优势领域带动下实现稳步增长，归属于上市公司股东

张汝京疾呼：别执迷3nm/2nm，中国芯片的真正出路在这里

张汝京疾呼：别执迷3nm/2nm，中国芯片的真正出路在这里

张汝京表示，中国半导体产业不必因为暂时无法掌握最尖端工艺而妄自菲薄，反而要利用成熟制程的高良率和成本优势，迅速占领全球大部分应用市场，才是更符合产业规律的务实之举。针对当前国内半导体产业的焦虑与发展路径，中芯国际创始人张汝京日前在接受媒体采访时指出，应摒弃对“大而全”和尖端制程的盲目崇拜，转而深耕利

乾晟超硬8英寸MPCVD金刚石生产线全线投产

乾晟超硬8英寸MPCVD金刚石生产线全线投产

4 月23日，乾晟超硬材料（东莞）有限公司正式宣布其自主研发的 MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）8 英寸金刚石生产线实现全线投产，并同步与两家产业链核心企业完成战略签约。此举标志着国内大尺寸半导体级单晶金刚石产业化再获关键突破，为高功率芯片热管理、激光光学等战略领域提供自主可控的核心材料支撑。本次投产的 8

2025年营收36.72亿元！露笑科技碳化硅业务获关键突破

2025年营收36.72亿元！露笑科技碳化硅业务获关键突破

近日，露笑科技披露2025年年度报告。报告显示，公司2025年实现营业收入36.72亿元，归属于上市公司股东的净利润为2.12亿元。值得注意的是，公司备受市场关注的碳化硅业务在报告期内取得多项关键技术突破。核心业务突破：碳化硅技术与产能同步跃升在碳化硅业务方面，碳化硅作为第三代半导体材料的“

三星重启SiC，功率半导体进入“多巨头时代”

三星重启SiC，功率半导体进入“多巨头时代”

据韩媒ETNews报道，三星电子已正式重启碳化硅（SiC）半导体业务，并与材料、设备及零部件厂商展开合作，推进8英寸SiC产线建设。这标志着在经历此前阶段性收缩后，三星正重新加码第三代半导体，瞄准下一代功率芯片市场。事实上，三星早在2023年便启动SiC布局，试图为8英寸硅基成熟制程寻找新的增长点。但受全球半导体下行周期

南网科研院研制4毫米高导电石墨烯铜导线，导电率突破104% IACS！

南网科研院研制4毫米高导电石墨烯铜导线，导电率突破104% IACS！

近日，南方电网科学研究院高压所技术团队取得重大技术突破，成功研制出线径超4毫米的高导电石墨烯铜复合导线，实现该材料在电力变压器领域的全球首次工程化应用，产品导电率突破104% IACS，为新型电力系统高效升级提供核心材料支撑。当前，我国电力行业能效提升面临双重瓶颈：传统输电导线依赖增容铜材降低线损，不仅成本高

WLCSP MOSFET掀起功率器件微型化革命，国产替代加速领跑新赛道

WLCSP MOSFET掀起功率器件微型化革命，国产替代加速领跑新赛道

随着消费电子轻薄化、汽车电子化、高端快充及服务器电源产业持续升级，功率器件微型化、高效化迭代进程全面提速。作为新一代核心封装技术，WLCSP晶圆级芯片尺寸封装MOSFET凭借极致尺寸与优异性能，正快速替代传统TO、DFN、SOT封装产品，成为功率半导体领域的新晋增长主力，一场全新的产业微型化革命已然开启。据悉，全新《全

TGV 玻璃通孔：先进封装面板级集成核心互连方案

TGV 玻璃通孔：先进封装面板级集成核心互连方案

面向先进封装高密度互连与面板级集成发展趋势，玻璃通孔（TGV）凭借低介电损耗、高平整度、低热膨胀系数及大尺寸面板化潜力，成为 2.5D/3D 封装、FOWLP/FOPLP、射频与高端封装基板的核心互连方案。TGV 产业化的关键瓶颈在于高深宽比通孔内壁均匀成膜、低温制程控制、膜基结合力保障及整线工艺集成。基于韩国 JS 等离子与 PV

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