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英特尔及代工业务亮相IEDM 2025 多项半导体技术实现突破性进展

英特尔及代工业务亮相IEDM 2025 多项半导体技术实现突破性进展

在2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔及英特尔代工的研究团队带来了一系列重磅技术成果发布，涵盖晶体管供电、新型芯粒、二维场效应晶体管（2D FETs）等多个关键领域，为先进半导体制造的技术瓶颈突破提供了全新解决方案，引发业界广泛关注。此次大会上，英特尔团队在片上去耦电容的金属-绝缘体-金属（MIM）材料

金泽大学联合研究团队实现突破，金刚石沟槽侧壁实现原子级平整

金泽大学联合研究团队实现突破，金刚石沟槽侧壁实现原子级平整

近日，日本产业技术综合研究所（AIST）与金泽大学的研究团队在金刚石半导体器件制造的关键工艺上取得重大突破。该团队成功开发出一种通过精确控制镍（Ni）薄膜热化学刻蚀温度，实现金刚石沟槽{111}侧壁原子级平整度的新技术，为解决制约金刚石在下一代高性能功率电子器件中应用的核心难题提供了关键解决方案。该研究选用高压

英特尔及代工业务亮相IEDM 2025 多项半导体技术实现突破性进展

英特尔及代工业务亮相IEDM 2025 多项半导体技术实现突破性进展

在2025年IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔及英特尔代工的研究团队带来了一系列重磅技术成果发布，涵盖晶体管供电、新型芯粒、二维场效应晶体管（2D FETs）等多个关键领域，为先进半导体制造的技术瓶颈突破提供了全新解决方案，引发业界广泛关注。此次大会上，英特尔团队在片上去耦电容的金属-绝缘体-金属（MIM）材料

混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升有助电子设备小型化和性能提升

混合CMOS芯片堆叠层数大幅提升有助电子设备小型化和性能提升

科学家在半导体晶体管堆叠方面取得了突破性进展。图片来源：沙特阿卜杜拉国王科技大学沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员在微芯片设计领域创下新纪录，成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层，这一突破标志着芯片集成密度与能效

西电集成电路学部郝跃院士团队张进成教授等取得超宽禁带半导体氧化镓射频器件研究重要突破

西电集成电路学部郝跃院士团队张进成教授等取得超宽禁带半导体氧化镓射频器件研究重要突破

西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授课题组在超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）射频器件研究中取得重要突破，创造了该类型器件性能的新纪录：最高振荡频率达90 GHz，在6 GHz频率下输出功率密度达到4.1 W/mm，并首次展现了氧化镓射频器件的低噪声潜力—在8 GHz下最小噪声系数仅为0.48 dB。该成果以“Heterogeneous integr

市值超245亿，厦门半导体材料厂商登陆科创板

市值超245亿，厦门半导体材料厂商登陆科创板

11月18日，厦门恒坤新材料科技股份有限公司正式登陆科创板。随着上市钟声敲响，这家深耕集成电路关键材料领域的企业，以14.99元/股的发行价上演了一场资本狂欢：开盘涨幅瞬间突破287%，盘中最高涨幅触及330%，市值一度飙升至280亿元，最终以54.66元/股的收盘价定格245.6亿元总市值，不仅成为厦门本年度最大IPO，更给沉寂已久

SK启方半导体进军碳化硅晶圆代工，目标年内推出1200V工艺技术

SK启方半导体进军碳化硅晶圆代工，目标年内推出1200V工艺技术

IT之家11月16日消息，SK启方半导体 (SK keyfoundry) 目前是SK海力士旗下的一家8英寸纯晶圆代工厂。该企业在近期完成对同属SK集团旗下的碳化硅 (SiC) 技术企业SK powertech的收购整并后，正式宣布将进军SiC晶圆代工。SK启方半导体表示，该企业在此前运营的过程中积累了丰富的工艺优化技术及提升良率的专业能力，结合SK power

台积电董事长魏哲家脚穿定制运动鞋，盖过英伟达CEO黄仁勋风头

台积电董事长魏哲家脚穿定制运动鞋，盖过英伟达CEO黄仁勋风头

11月10号，台积电2025年度运动会上，台积电董事长魏哲家身穿一身休闲服饰，脚穿台积电定制的运动鞋，运动鞋上印有台积电logo字样格外显眼，深入了解才得知这双鞋制造商是高雄一家本土鞋厂设计制造的。其实在八年前，鞋厂就已经给台积电前董事长张忠谋寄过样品，此次通过魏哲家的上脚意外出圈！此次的特邀嘉宾黄仁勋一改往日

乘势 “十五五”，共创芯生态！2026第三届功率半导体技术应用大会及金刚石产业展览会邀您齐聚合肥！

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智驱未来芯聚生态在全球能源转型与科技革新加速的背景下，功率半导体技术作为电子信息产业的关键基石，迎来全新的战略机遇。“十五五 ”规划将半导体与集成电路列为战略性发展重点，明确提出构建自主可控产业生态的迫切任务。在此重要时刻，我们以“智驱未来 ·芯聚生态”为主题，于2026年3月10日至12日在安徽合肥隆重

2025年国机精工金刚石半导体散热技术深度解析：超高功率芯片散热瓶颈突破路径

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随着摩尔定律放缓，半导体产业进入算力驱动时代，AI、大模型训练、5G通信、自动驾驶等场景推动芯片向高并行度和高集成度发展，单颗芯片的功耗水平快速攀升，散热已从“优化设计”转变为“制约性能的物理瓶颈”。目前，GPU/AI芯片如NVIDIA H100、华为昇腾910B等高端GPU功耗已逼近700W，未来Blackwell/昇腾下一代产品预计突破

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马年行大运，芯事成双！

2026第三届功率半导体技术应用大会及金刚石产业展览会

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